STI8N65M5技术参数详情：
STI8N65M5是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，采用I2PAK通孔封装，隶属于其高性能MDmesh V产品系列。该器件核心优势在于其650V的高漏源击穿电压和7A的连续漏极电流能力，为高压功率开关应用提供了坚实的基础。
其技术亮点包括在10V栅极驱动下仅600毫欧的低导通电阻，以及最大15nC的低栅极电荷。这些参数共同作用，旨在显著降低功率损耗，提升开关频率，从而优化电源系统的效率与功率密度。该器件适用于各类离线式电源转换和电机驱动辅助电源等场景。
- 型号:STI8N65M5
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:I2PAK
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 650V 7A I2PAK
- 包装:管件
- 产品状态:停产
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:650 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):7A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:600 毫欧 @ 3.5A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:15 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±25V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:690 pF @ 100 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:70W（Tc）
- 工作温度:150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 供应商器件封装:I2PAK
- 封装/外壳:TO-262-3 长引线，I2PAK，TO-262AA
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