STK20N75F3技术参数详情：
STK20N75F3是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，采用STripFET技术和PolarPak表面贴装封装。其核心优势在于优异的导通性能与开关特性的结合，在10V驱动下导通电阻低至7毫欧（@10A），同时栅极电荷仅为53nC（@10V），这有效降低了导通与开关损耗，提升了电源系统的整体效率。
该器件额定漏源电压75V，连续漏极电流20A（Tc），功耗5.2W（Tc），工作结温范围覆盖-55°C至150°C。这些参数使其成为中等功率密度应用的理想选择，尤其适用于对空间布局和散热有较高要求的紧凑型设计，为工程师提供了高可靠性的功率开关解决方案。
- 型号:STK20N75F3
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:PolarPak
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 75V 20A POLARPAK
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:停产
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:75 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):20A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:7 毫欧 @ 10A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:53 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±20V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:3150 pF @ 25 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:5.2W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 供应商器件封装:PolarPak
- 封装/外壳:PolarPak
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