STGB10NB60ST4技术参数详情：
STGB10NB60ST4是ST意法半导体推出的一款采用PowerMESH技术的600V、29A IGBT，采用D2PAK表面贴装封装。该器件核心优势在于其低导通损耗与良好的开关特性平衡，其集电极-发射极饱和压降Vce(on)低至1.75V @ 10A，同时栅极电荷仅为33nC，有助于提升能效并简化驱动设计。
器件具备80A的脉冲电流处理能力和高达150°C的工作结温，确保了在动态负载及高温环境下的稳定运行。其80W的功率处理能力和优化的开关能量参数，使其成为工业电机控制、UPS和逆变器等中功率开关应用的可靠选择。
- 型号:STGB10NB60ST4
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-263（D2PAK）
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > 单 IGBT
- 描述:IGBT 600V 29A TO-263
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:停产
- IGBT 类型:-
- 电压 - 集射极击穿（最大值）:600 V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:29 A
- 电流 - 集电极脉冲 (Icm):80 A
- 不同Vge、Ic 时Vce(on)（最大值）:1.75V @ 15V，10A
- 功率 - 最大值:80 W
- 开关能量:600J（导通），5mJ（关断）
- 输入类型:标准
- 栅极电荷:33 nC
- 25°C 时 Td（开/关）值:700ns/1.2s
- 测试条件:480V，10A，1 千欧，15V
- 反向恢复时间 (trr):-
- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
- 供应商器件封装:TO-263（D2PAK）
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