STK822技术参数详情:
STK822是ST意法半导体STripFET系列中的一款N沟道功率MOSFET,采用PolarPak封装。该器件设计用于中低电压、大电流的开关应用,其核心优势在于极低的导通电阻与栅极电荷。
具体而言,它在VGS=10V时提供最大仅2.15mΩ的导通电阻,配合38A的连续电流能力,可有效最小化导通损耗。同时,其最大栅极电荷低至33nC,确保了快速的开关瞬态响应,有助于提升开关电源的效率和功率密度。其25V的漏源电压额定值和宽泛的工作温度范围(-55°C至150°C结温),使其适用于对效率和可靠性有较高要求的DC-DC转换与电机控制场景。
- 型号:STK822
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:PolarPak
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 25V 38A POLARPAK
- 包装:卷带(TR)
- 产品状态:停产
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET(金属氧化物)
- 漏源电压(Vdss):25 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):38A(Ta)
- 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):2.15 毫欧 @ 19A,10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)(最大值):33 nC @ 4.5 V
- Vgs(最大值):±16V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):6060 pF @ 25 V
- FET 功能:-
- 功率耗散(最大值):5.2W(Ta)
- 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 供应商器件封装:PolarPak
- 封装/外壳:PolarPak
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