STW62N65M5技术参数详情：
STW62N65M5是ST意法半导体推出的汽车级（AEC-Q101）N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能MDmesh V系列。该器件采用TO-247封装，核心优势在于其650V的高耐压与低至49毫欧（典型值）的导通电阻的出色结合，能够在高电压、大电流（连续漏极电流46A）应用中显著降低传导损耗。
此外，其优化的动态参数，如142nC的栅极电荷（Qg），有助于实现快速的开关切换并降低开关损耗，提升系统整体效率。高达150°C的结温和330W的功率耗散能力确保了其强大的热可靠性。这些特性使其成为汽车车载充电、工业电源转换等高要求功率开关应用的理想解决方案。
- 型号:STW62N65M5
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-247-3
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 650V 46A TO247
- 包装:管件
- 产品状态:在售
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:650 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):46A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:49 毫欧 @ 23A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:142 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±25V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:6420 pF @ 100 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:330W（Tc）
- 工作温度:150°C（TJ）
- 等级:汽车级
- 资质:AEC-Q101
- 安装类型:通孔
- 供应商器件封装:TO-247-3
- 封装/外壳:TO-247-3
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