STL100NH3LL技术参数详情：
STL100NH3LL是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于高性能的STripFET III产品系列。该器件设计用于30V电压等级的应用，其核心优势在于能够持续承载高达100A的漏极电流，同时保持极低的功率损耗。
其技术亮点包括在10V Vgs下仅3.5毫欧的最大导通电阻，以及低至40nC的栅极电荷。这些参数共同确保了器件具备出色的导电效率和快速的开关性能。采用表面贴装式PowerFlat封装，支持在-55°C至150°C的宽温度范围内工作，适用于高功率密度的电源转换和电机驱动解决方案。
- 型号:STL100NH3LL
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:PowerFlat（5x6）
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 30V 100A POWERFLAT
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:停产
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:30 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):100A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:3.5 毫欧 @ 12.5A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:40 nC @ 4.5 V
- Vgs（最大值）:±16V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:4450 pF @ 25 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:80W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 供应商器件封装:PowerFlat（5x6）
- 封装/外壳:8-PowerVDFN
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