STL130N8F7

STL130N8F7是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，采用先进的STripFET VII和DeepGATE技术。该器件在10V栅极驱动下提供仅3.6毫欧（@13A）的极低导通电阻，并支持高达130A（T_C）的连续漏极电流和80V的漏源电压，旨在最大限度地降低导通损耗，提升系统整体能效。

其封装采用热性能优异的表面贴装型PowerFlat（5x6），结合优化的96nC（@10V）栅极电荷，有效平衡了开关速度与损耗。这些特性使其成为高功率密度和高效率应用的理想选择，例如服务器电源、电机驱动及工业电源转换系统。

• 型号:STL130N8F7
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:PowerFlat（5x6）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 80V 130A POWERFLAT
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:80 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):130A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:3.6 毫欧 @ 13A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:96 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:6340 pF @ 40 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:135W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerFlat（5x6）
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
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