STL160N3LLH6技术参数详情：
STL160N3LLH6是ST意法半导体基于STripFET VI和DeepGATE技术开发的N沟道功率MOSFET。该器件采用PowerFlat（5x6）表面贴装封装，在紧凑的尺寸内实现了卓越的功率处理能力，其核心卖点包括极低的导通电阻（1.3mΩ @ 10V）和高达160A（Tc）的连续漏极电流，旨在最大限度地降低传导损耗并提升功率密度。
该MOSFET的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss）经过优化，有助于实现高效的快速开关操作，降低开关损耗。其30V的漏源电压（Vdss）和宽广的工作结温范围（-55°C ~ 175°C）使其能够适应要求高可靠性和高效率的严苛应用环境，如高密度DC-DC转换和电机驱动控制。
- 型号:STL160N3LLH6
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:PowerFlat（5x6）
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 30V 160A POWERFLAT
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:停产
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:30 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):160A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.3 毫欧 @ 17.5A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:61.5 nC @ 4.5 V
- Vgs（最大值）:±20V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:6375 pF @ 25 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:136W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 供应商器件封装:PowerFlat（5x6）
- 封装/外壳:8-PowerVDFN
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