STL16N1VH5

STL16N1VH5是ST意法半导体推出的一款采用PowerFlat封装的N沟道功率MOSFET，属于其高性能的STripFET V产品系列。该器件设计用于低压、高电流的开关应用，其核心参数包括12V的漏源电压（Vdss）和高达16A的连续漏极电流（Id），能够在紧凑的尺寸下处理可观的功率。

其技术亮点在于极低的导通电阻，在4.5V栅极电压下典型值仅为3毫欧，这显著降低了功率损耗并提升了系统效率。同时，优化的栅极电荷（最大26.5nC）确保了快速的开关速度，适用于高频开关电源拓扑。该器件支持2.5V至4.5V的逻辑电平驱动，便于与主流控制器直接接口。

• 型号:STL16N1VH5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:PowerFlat（3.3x3.3）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 12V 16A POWERFLAT
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:12 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):16A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:2.5V，4.5V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:3 毫欧 @ 8A，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:500mV @ 250A（最小）
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:26.5 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±8V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2085 pF @ 12 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2W（Ta），50W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerFlat（3.3x3.3）
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
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