STL16N60M2

STL16N60M2是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能MDmesh M2产品系列。该器件采用先进的电荷平衡技术，核心优势在于实现了低导通电阻（典型值355mΩ @ 4A, 10V）与低栅极电荷（19nC @ 10V）的优化组合，旨在同时降低传导损耗和开关损耗，从而提升系统整体能效。

其额定参数包括600V的漏源电压（Vdss）和8A的连续漏极电流（Id），确保了在高压、中等电流应用中的稳定运行。器件采用节省空间的表面贴装PowerFlat HV封装，具有良好的热性能，最大结温为150°C。这些特性使其成为开关电源、电机驱动和工业照明等高要求功率转换应用的理想选择。

• 型号:STL16N60M2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 8A POWERFLAT HV
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
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