STL16N65M5技术参数详情：
STL16N65M5是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于高性能的MDmesh V产品系列。该器件设计用于高压开关应用，其核心参数包括650V的漏源电压（Vdss）和12A的连续漏极电流（Id）承载能力，提供了坚实的电压与电流基准。
其技术优势体现在优异的开关性能与导通特性上。在10V栅极驱动下，导通电阻（Rds(on)）最大值仅为299毫欧（@6A），有效降低了导通损耗。同时，较低的栅极电荷（Qg，最大值31nC @10V）和输入电容有助于实现快速开关，提升系统频率与效率。器件采用热增强型PowerFlat HV表面贴装封装，支持高达150°C的结温，确保了在紧凑空间内的可靠散热与高功率密度设计。
- 型号:STL16N65M5
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:PowerFlat（8x8）HV
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 650V 12A PWRFLAT HV
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:停产
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:650 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):12A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:299 毫欧 @ 6A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:31 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±25V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1250 pF @ 100 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:3W（Ta），90W（Tc）
- 工作温度:150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 供应商器件封装:PowerFlat（8x8）HV
- 封装/外壳:4-PowerVDFN
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