STL19N60M6

STL19N60M6是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能MDmesh M6产品系列。该器件采用先进的MOSFET技术，核心规格包括600V的漏源击穿电压（Vdss）和11A（Tc）的连续漏极电流，为高压功率应用提供了坚实的基础。

其设计重点在于优化功率损耗，在10V栅极驱动下，导通电阻（Rds(on)）典型值低至308毫欧（@6.5A），同时栅极电荷（Qg）最大值仅为16.8nC，这共同实现了优异的导通效率与快速的开关性能。器件采用热增强型PowerFlat HV表面贴装封装，支持90W（Tc）的功率耗散，工作结温范围宽达-55°C至150°C，确保了在高功率密度和恶劣环境下的可靠运行。

• 型号:STL19N60M6
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:PowerFlat（8x8）HV
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 11A PWRFLAT HV
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):11A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:308毫欧 @ 6.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.75V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:16.8 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:650 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:90W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerFlat（8x8）HV
• 封装/外壳:4-PowerVDFN
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