STP5NK50ZFP技术参数详情:
STP5NK50ZFP是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET,隶属于其高性能的SuperMESH产品系列。该器件采用TO-220FP封装,核心参数包括500V的漏源电压(Vdss)和4.4A的连续漏极电流(Id),为中等功率应用提供了坚实的耐压和电流处理能力。
其技术优势体现在优异的动态与静态性能平衡上。在10V栅极驱动下,导通电阻(Rds(on))典型值低至1.5欧姆,有助于降低导通损耗。同时,较低的栅极电荷(Qg,最大28nC)和输入电容(Ciss)确保了快速的开关速度,有利于提升开关电源的工作频率和效率。宽泛的工作结温范围(-55°C至150°C)进一步保障了其在各种环境条件下的稳定性和可靠性。
- 型号:STP5NK50ZFP
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-220FP
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 500V 4.4A TO220FP
- 包装:管件
- 产品状态:不适用于新设计
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET(金属氧化物)
- 漏源电压(Vdss):500 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):4.4A(Tc)
- 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):1.5 欧姆 @ 2.2A,10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):4.5V @ 50A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)(最大值):28 nC @ 10 V
- Vgs(最大值):±30V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):535 pF @ 25 V
- FET 功能:-
- 功率耗散(最大值):70W(Tc)
- 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 供应商器件封装:TO-220FP
- 封装/外壳:TO-220-3 整包
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