L6571BD013TR技术参数详情：
L6571BD013TR是ST意法半导体生产的一款半桥栅极驱动器集成电路，采用8-SOIC表面贴装封装。该器件专为驱动N沟道MOSFET或IGBT设计，集成了高压电平位移和自举二极管，其高压侧可承受高达600V的电压，并具备170mA（灌）和270mA（拉）的峰值输出电流，确保功率开关的快速、可靠导通与关断。
其核心特性包括采用抗干扰能力强的RC输入电路，以及对电源电压的欠压锁定（UVLO）保护功能，增强了系统在复杂电磁环境下的鲁棒性与安全性。器件工作电源电压范围为10V至16.6V，结温工作范围覆盖-40°C至150°C，适用于要求严苛的工业电源管理应用场景。
- 型号:L6571BD013TR
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:8-SOIC
- 类目:集成电路（IC） > 电源管理（PMIC） > 栅极驱动器
- 描述:IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SO
- 系列:-
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:在售
- 南皇电子 可编程:未验证
- 驱动配置:半桥
- 通道类型:同步
- 驱动器数:2
- 栅极类型:IGBT，MOSFET（N 沟道）
- 电压 - 供电:10V ~ 16.6V
- 逻辑电压- VIL，VIH:-
- 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:170mA，270mA
- 输入类型:RC 输入电路
- 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V
- 上升/下降时间（典型值）:-
- 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
- 供应商器件封装:8-SOIC
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