STL22N60M6技术参数详情：
STL22N60M6是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能MDmesh M6产品系列。该器件采用先进的垂直架构技术，实现了600V高耐压与低导通电阻的优化组合，旨在为高效率功率转换应用提供核心开关解决方案。
其关键电气参数包括：10A的连续漏极电流（Tc=25°C），在10V栅极驱动下导通电阻（Rds(on)）典型值仅为250毫欧。同时，其低栅极电荷（Qg）特性有助于降低开关损耗，提升系统频率与能效。器件采用热性能优异的PowerFlat HV表面贴装封装，支持-55°C至150°C的宽结温工作范围，确保了在高功率密度设计中的可靠性与稳定性。
- 型号:STL22N60M6
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:PowerFlat（5x6）HV
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 600V 10A PWRFLAT HV
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:在售
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:600 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):10A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:250 毫欧 @ 5A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.75V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:20 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±25V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:800 pF @ 100 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:57W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 供应商器件封装:PowerFlat（5x6）HV
- 封装/外壳:8-PowerVDFN
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