STL23NM50N技术参数详情：
STL23NM50N是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能的MDmesh II产品系列。该器件采用先进的MOSFET技术，核心优势在于其500V的高漏源击穿电压（Vdss）与经优化的低导通电阻特性，在10V Vgs下导通电阻最大值仅为210毫欧，这为高效能功率转换提供了坚实基础。
器件采用PowerFlat HV表面贴装封装，具备优异的热性能，其管壳温度（Tc）下的连续漏极电流（Id）可达14A，最高结温为150°C，确保了在高功率密度应用中的可靠运行。其较低的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss）有助于降低开关损耗，提升整体系统效率。该MOSFET主要面向要求高耐压和高效开关性能的电源管理应用。
- 型号:STL23NM50N
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:PowerFlat（8x8）HV
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 500V 2.8A PWRFLT 8X8
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:停产
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:500 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):2.8A（Ta），14A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:210 毫欧 @ 7A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:45 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±25V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1330 pF @ 50 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:3W（Ta），125W（Tc）
- 工作温度:150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 供应商器件封装:PowerFlat（8x8）HV
- 封装/外壳:4-PowerVDFN
- 现在可以订购STL23NM50N，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。
