STL24N60M2技术参数详情：
STL24N60M2是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于高性能的MDmesh II Plus产品系列。该器件采用PowerFlat HV表面贴装封装，核心额定参数为600V漏源电压和18A连续漏极电流，专为高效功率开关应用设计。
其技术亮点在于实现了低导通电阻与低栅极电荷的优化组合。在10V驱动下，导通电阻最大值仅为210毫欧，有助于降低传导损耗；同时，最大栅极电荷低至29nC，有利于实现快速开关并降低驱动损耗。这些特性使其在提升系统效率和功率密度方面表现突出。
该器件最高工作结温为150°C，适用于工业级电源、电机驱动、UPS等高要求应用场景，是需要高压、高效解决方案的设计工程师的可靠选择。
- 型号:STL24N60M2
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:PowerFlat（8x8）HV
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 600V 18A PWRFLAT HV
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:在售
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:600 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):18A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:210 毫欧 @ 9A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:29 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±25V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1060 pF @ 100 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:125W（Tc）
- 工作温度:150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 供应商器件封装:PowerFlat（8x8）HV
- 封装/外壳:4-PowerVDFN
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