STL26N65DM2技术参数详情：
STL26N65DM2是ST意法半导体推出的一款N沟道高压功率MOSFET，隶属于其高性能MDmesh DM2产品系列。该器件采用先进的MOSFET技术，核心参数包括650V的漏源电压（Vdss）和20A的连续漏极电流（Id），为高压大电流应用提供了可靠的开关基础。
其关键优势在于优异的动态与静态性能平衡。在10V栅极驱动下，导通电阻（Rds(on)）低至206mΩ @ 10A，有效降低了导通损耗。同时，优化的栅极电荷（Qg，最大35.5nC）和输入电容（Ciss）确保了快速的开关速度，有利于提升系统效率和工作频率。器件采用热增强型PowerFlat HV表面贴装封装，支持140W的功率耗散和-55°C至150°C的宽工作结温范围，适用于高密度、高可靠性的电源设计。
- 型号:STL26N65DM2
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:PowerFlat（8x8）HV
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 650V 20A PWRFLAT HV
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:在售
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:650 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):20A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:206mOhm @ 10A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:35.5 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±25V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1480 pF @ 100 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:140W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 供应商器件封装:PowerFlat（8x8）HV
- 封装/外壳:4-PowerVDFN
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