STGWA40H120F2技术参数详情：
STGWA40H120F2是意法半导体推出的一款高压大电流IGBT，采用TO-247-3封装。其核心基于沟槽型场截止技术，在1200V的集射极击穿电压下，实现了低至2.6V @ 40A的饱和压降，有效降低了导通损耗。
该器件具备80A的连续电流和160A的脉冲电流处理能力，最大功率达468W。其优化的开关特性，包括较低的开关能量（Eon 1mJ, Eoff 1.32mJ）和158nC的栅极电荷，有助于提升开关频率并减少驱动损耗。宽泛的结温工作范围（-55°C ~ 175°C）确保了其在恶劣环境下的可靠性，适用于高要求的工业电机驱动和能源转换系统。
- 型号:STGWA40H120F2
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-247 长引线
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > 单 IGBT
- 描述:IGBT TRENCH FS 1200V 80A TO247
- 系列:-
- 包装:管件
- 产品状态:在售
- IGBT 类型:沟槽型场截止
- 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200 V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:80 A
- 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160 A
- 不同Vge、Ic 时Vce(on)（最大值）:2.6V @ 15V，40A
- 功率 - 最大值:468 W
- 开关能量:1mJ（导通），1.32mJ（关断）
- 输入类型:标准
- 栅极电荷:158 nC
- 25°C 时 Td（开/关）值:18ns/152ns
- 测试条件:600V，40A，10 欧姆，15V
- 反向恢复时间 (trr):-
- 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:TO-247-3
- 供应商器件封装:TO-247 长引线
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