STW54NM65ND技术参数详情：
STW54NM65ND是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，采用TO-247-3封装，属于其高性能FDmesh II产品系列。该器件核心优势在于其650V的高漏源电压（Vdss）与49A（Tc）的高连续漏极电流能力，为高压大功率应用提供了坚实的基础。
其技术亮点在于实现了优异的导通损耗与开关损耗的平衡。在10V驱动电压下，导通电阻（Rds(on)）最大值低至65毫欧，同时栅极电荷（Qg）最大值仅为188nC。这种低Rds(on)与低Qg的组合，使得器件在保证低导通损耗的同时，也能实现快速的开关切换，从而显著提升系统整体效率，尤其适用于高频开关电源和电机驱动等对能效要求苛刻的场合。
- 型号:STW54NM65ND
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-247-3
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 650V 49A TO247-3
- 包装:管件
- 产品状态:停产
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:650 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):49A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:65 毫欧 @ 24.5A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:188 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±25V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:6200 pF @ 50 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:350W（Tc）
- 工作温度:150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 供应商器件封装:TO-247-3
- 封装/外壳:TO-247-3
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