STL33N60DM6

STL33N60DM6是ST意法半导体基于MDmesh M6技术开发的一款高压N沟道功率MOSFET。该器件额定电压600V，连续漏极电流21A，采用先进的单元结构实现了低至140毫欧的导通电阻（R_DS(on)）与仅35nC的栅极电荷（Q_G）的优异组合。

其电气特性旨在最大限度地降低导通与开关损耗，提升系统整体效率。器件采用热性能出色的PowerFlat HV表面贴装封装，工作结温范围达-55°C至150°C，适用于高功率密度和高可靠性的设计需求。

• 型号:STL33N60DM6
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:PowerFlat（8x8）HV
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 21A PWRFLAT HV
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):21A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:140 毫欧 @ 10.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.75V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:35 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1500 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:150W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerFlat（8x8）HV
• 封装/外壳:4-PowerVDFN
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