STL38DN6F7AG技术参数详情：
STL38DN6F7AG是ST意法半导体推出的汽车级AEC-Q101认证双N沟道MOSFET阵列，隶属于高性能STripFET F7产品系列。该器件在60V漏源电压下提供10A的连续电流能力，其核心优势在于实现了27毫欧的低导通电阻与7.9nC低栅极电荷的优化组合，旨在最大限度地降低传导与开关损耗。
该MOSFET采用热增强型8-PowerVDFN表面贴装封装，支持高达175°C的结温工作，功率处理能力达57.7W。这些特性使其非常适用于要求高效率和可靠性的严苛环境，典型应用包括汽车领域的电机驱动、LED照明、DC-DC转换及负载开关等场景。
- 型号:STL38DN6F7AG
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:PowerFlat（5x6）
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
- 描述:MOSFET 2N-CH 60V 10A POWERFLAT
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:在售
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 配置:2 N-通道（双）
- FET 功能:-
- 漏源电压（Vdss）:60V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):10A（Tc）
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:27 毫欧 @ 5A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:7.9nC @ 10V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:380pF @ 25V
- 功率 - 最大值:57.7W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
- 等级:汽车级
- 资质:AEC-Q101
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:8-PowerVDFN
- 供应商器件封装:PowerFlat（5x6）
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