STL56N3LLH5技术参数详情：
STL56N3LLH5是ST意法半导体推出的一款采用PowerFlat封装的高性能N沟道功率MOSFET，隶属于先进的STripFET V产品系列。该器件额定值为30V漏源电压和56A连续漏极电流，核心优势在于其极低的导通电阻（9毫欧 @ 10V）与极低的栅极电荷（6.5nC @ 4.5V）的出色结合。
这一特性组合使其能够同时最小化传导损耗和开关损耗，特别适合在高频开关电源应用中追求极致效率。其宽泛的栅极电压范围（-20V至+22V）和高达150°C的结温工作能力，进一步确保了其在苛刻环境下的稳健性与可靠性，为高功率密度设计提供了强有力的半导体解决方案。
- 型号:STL56N3LLH5
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:PowerFlat（5x6）
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 30V 56A POWERFLAT
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:在售
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:30 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):56A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:9 毫欧 @ 7.5A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:6.5 nC @ 4.5 V
- Vgs（最大值）:+22V，-20V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:950 pF @ 25 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:62.5W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 供应商器件封装:PowerFlat（5x6）
- 封装/外壳:8-PowerVDFN
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