STP80NF10FP技术参数详情：
STP80NF10FP是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于STripFET II产品系列。该器件采用TO-220FP绝缘封装，核心电气参数针对高效率功率开关应用进行了优化。
其关键特性包括100V的漏源击穿电压（Vdss）以及在壳温25°C下达38A的连续漏极电流能力。最突出的优势在于其极低的导通电阻，在10V栅极驱动和40A电流条件下，Rds(on)最大值仅为15毫欧，这能显著降低功率传导损耗。此外，其栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss）参数经过平衡设计，有助于实现良好的开关性能与驱动效率的兼顾。
- 型号:STP80NF10FP
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-220FP
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 100V 38A TO220FP
- 包装:管件
- 产品状态:在售
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:100 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):38A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:15 毫欧 @ 40A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:189 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±20V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:4300 pF @ 25 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:45W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 供应商器件封装:TO-220FP
- 封装/外壳:TO-220-3 整包
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