STL58N3LLH5技术参数详情：
STL58N3LLH5是ST意法半导体生产的一款N沟道功率MOSFET，采用PowerFlat封装，专为要求高可靠性的汽车电子应用而设计，符合AEC-Q101标准。其核心优势在于极低的导通电阻（9mΩ @ 10V）和栅极电荷（10nC @ 4.5V），这确保了在高频开关和连续大电流（64A Tc）工作条件下，仍能保持卓越的能效和较低的热损耗。
该器件额定漏源电压为30V，工作结温范围宽达-55°C至175°C，具备强大的环境适应性。其表面贴装形式和紧凑的封装尺寸，有助于实现高功率密度的电路设计，适用于空间受限的现代汽车电子与工业电源管理系统。
- 型号:STL58N3LLH5
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:PowerFlat（5x6）
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 30V 64A POWERFLAT
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:最后售卖
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:30 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):64A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:9 毫欧 @ 7.5A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:10 nC @ 4.5 V
- Vgs（最大值）:+22V，-20V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:950 pF @ 25 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:4.8W（Ta），62.5W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
- 等级:汽车级
- 资质:AEC-Q101
- 安装类型:表面贴装型
- 供应商器件封装:PowerFlat（5x6）
- 封装/外壳:8-PowerVDFN
- 现在可以订购STL58N3LLH5，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。
