STL60NH3LL技术参数详情：
STL60NH3LL是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于高性能的STripFET产品系列。该器件采用紧凑的PowerFlat（5x6）表面贴装封装，核心优势在于其极低的导通电阻与栅极电荷的优化组合。
其关键参数包括30V的漏源电压和30A的连续漏极电流处理能力。在10V Vgs条件下，导通电阻（Rds(on)）最大值低至8.5毫欧，配合仅24nC（@4.5V）的最大栅极电荷，共同确保了高效的功率转换与快速的开关响应。这些特性使其成为空间受限且对效率要求高的同步整流和DC-DC转换应用的理想选择。
- 型号:STL60NH3LL
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:PowerFlat（5x6）
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 30V 30A POWERFLAT
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:停产
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:30 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):30A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:8.5 毫欧 @ 8A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:24 nC @ 4.5 V
- Vgs（最大值）:±16V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1810 pF @ 25 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:60W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 供应商器件封装:PowerFlat（5x6）
- 封装/外壳:8-PowerVDFN
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