STB150N3LH6技术参数详情：
STB150N3LH6是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于采用DeepGATE和STripFET VI技术的产品系列。该器件设计用于提供卓越的功率处理效率，其核心卖点在于极低的导通电阻，在10V Vgs和40A Id条件下典型值仅为3毫欧，这能显著降低传导损耗。
该MOSFET的额定参数为30V漏源电压和80A连续漏极电流（Tc），封装于TO-263（DPAK）表面贴装封装内，最大功率耗散为110W。其低栅极电荷（最大80nC）确保了快速的开关性能，而高达175°C的结温工作范围则保证了其在苛刻环境下的可靠性，使其成为高效电源转换和电机驱动应用的理想选择。
- 型号:STB150N3LH6
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-263（D2PAK）
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N CH 30V 80A D2PAK
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:停产
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:30 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):80A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V，10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:3 毫欧 @ 40A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:80 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±20V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:3800 pF @ 25 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:110W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 供应商器件封装:TO-263（D2PAK）
- 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
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