STL64DN4F7AG技术参数详情：
STL64DN4F7AG是意法半导体基于STripFET F7技术制造的一款汽车级（AEC-Q101）双N沟道功率MOSFET。该器件采用8-PowerVDFN（PowerFLAT）封装，在40V的漏源电压下，每个通道可提供高达40A的连续电流承载能力。
其核心优势在于极低的导通电阻（典型值8.5mΩ @ 10V, 20A）与优化的开关特性（栅极电荷仅9.8nC），这显著降低了导通和开关损耗，提升了电源转换效率。结合-55°C至175°C的宽工作结温范围以及优异的封装散热性能，使其成为要求高可靠性、高功率密度设计的理想选择，尤其适用于汽车电机驱动和高效DC-DC转换器等应用。
- 型号:STL64DN4F7AG
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:PowerFlat（5x6）
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
- 描述:MOSFET 2N-CH 40V 40A POWERFLAT
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:在售
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 配置:2 N-通道（双）
- FET 功能:-
- 漏源电压（Vdss）:40V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):40A（Tc）
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:8.5 毫欧 @ 20A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:9.8nC @ 10V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:637pF @ 25V
- 功率 - 最大值:57W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
- 等级:汽车级
- 资质:AEC-Q101
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:8-PowerVDFN
- 供应商器件封装:PowerFlat（5x6）
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