STL66DN3LLH5技术参数详情：
STL66DN3LLH5是ST意法半导体推出的符合AEC-Q101标准的汽车级双N沟道功率MOSFET，属于STripFET V产品系列。该器件采用PowerFLAT56封装，在30V漏源电压下可支持高达78.5A的连续电流，其核心优势在于极低的导通电阻（6.5mΩ @ 10A, 10V）和逻辑电平门驱动特性（Vgs(th) ≤ 3V），确保了高效率的功率传输和与低压控制器的直接兼容性。
此外，其优化的动态参数，如低栅极电荷（12nC @ 4.5V）和输入电容，共同实现了快速的开关性能，有助于降低开关损耗。工作结温范围宽达-55°C至175°C，满足汽车电子对高可靠性和环境适应性的严苛要求，使其成为电机驱动、电源转换及各类车载功率开关应用的稳健选择。
- 型号:STL66DN3LLH5
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:PowerFlat（5x6）
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
- 描述:MOSFET 2N-CH 30V 78.5A POWERFLAT
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:在售
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 配置:2 N-通道（双）
- FET 功能:逻辑电平门
- 漏源电压（Vdss）:30V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):78.5A
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:6.5 毫欧 @ 10A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:12nC @ 4.5V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1500pF @ 25V
- 功率 - 最大值:72W
- 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
- 等级:汽车级
- 资质:AEC-Q101
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:8-PowerVDFN
- 供应商器件封装:PowerFlat（5x6）
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