T835H-8G-TR技术参数详情：
T835H-8G-TR是意法半导体H系列中的一款高性能8A/800V双向可控硅（TRIAC）。该器件设计用于要求严苛的交流开关应用，其核心卖点在于结合了高阻断电压、大通态电流与出色的鲁棒性。
该器件具备高达800V的断态电压和8A的RMS通态电流，能够可靠地控制中大功率负载。其关键参数，如最大1.3V的低栅极触发电压和35mA的触发/保持电流，确保了其易于驱动且导通稳定。此外，高达80A/84A的非重复浪涌电流能力和150°C的最大结温，使其能够承受电机启动等场景的瞬时过流冲击，并适应宽温度范围的工作环境。
采用TO-263（DPak）表面贴装封装，并属于“无缓冲器”类型，T835H-8G-TR在简化电路设计、提升系统可靠性和功率密度方面表现出色，是工业控制、家电和照明等领域中交流相位控制或开关应用的优选器件。
- 型号:T835H-8G-TR
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:D2PAK
- 类目:分立半导体产品 > 晶闸管 > 双向可控硅
- 描述:TRIAC ALTERNISTOR 800V 8A D2PAK
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:在售
- 双向可控硅类型:可控硅 - 无缓冲器
- 电压 - 断态:800 V
- 电流 - 通态 (It (RMS))（最大值）:8 A
- 电压 - 栅极触发 (Vgt)（最大值）:1.3 V
- 电流 - 非重复浪涌 50、60Hz (Itsm):80A，84A
- 电流 - 栅极触发 (Igt)（最大值）:35 mA
- 电流 - 保持 (Ih)（最大值）:35 mA
- 配置:单路
- 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
- 供应商器件封装:D2PAK
- 现在可以订购T835H-8G-TR，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。
