STL7DN6LF3技术参数详情：
STL7DN6LF3是ST意法半导体推出的一款车规级、双N沟道功率MOSFET阵列，隶属于Automotive, AEC-Q101, STripFET III系列。该器件采用8-PowerVDFN封装，集成了两个独立的MOSFET通道，每个通道具备60V的漏源电压（Vdss）和20A的连续漏极电流（Id）能力。
其核心优势在于极低的导通电阻（最大值43毫欧 @ 10V）和逻辑电平门驱动特性（Vgs(th)最大3V），这不仅确保了高效率的功率传输，还使其能够直接由低压微控制器驱动，简化了系统设计。同时，低栅极电荷（8.8nC）和宽工作结温范围（-55°C ~ 175°C）使其兼具快速开关性能与高可靠性，是汽车电子及紧凑型高功率密度应用的理想选择。
- 型号:STL7DN6LF3
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:PowerFlat（5x6）
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
- 描述:MOSFET 2N-CH 60V 20A POWERFLAT
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:在售
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 配置:2 N-通道（双）
- FET 功能:逻辑电平门
- 漏源电压（Vdss）:60V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):20A
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:43 毫欧 @ 3A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:8.8nC @ 10V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:432pF @ 25V
- 功率 - 最大值:52W
- 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
- 等级:汽车级
- 资质:AEC-Q101
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:8-PowerVDFN
- 供应商器件封装:PowerFlat（5x6）
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