STP5N120技术参数详情：
STP5N120是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能的SuperMESH产品系列。该器件核心规格为1200V漏源电压（Vdss）与4.7A连续漏极电流（Id），采用TO-220-3通孔封装，专为高压开关应用而设计。
其技术亮点在于通过优化的内部结构，在维持高击穿电压的同时，提供了较低的导通电阻（Rds(on)）和栅极电荷（Qg），这有助于降低导通与开关损耗，提升系统效率。器件支持高达160W的功率耗散，工作温度范围宽广，从-55°C延伸至150°C，确保了在严苛环境下的可靠性。
- 型号:STP5N120
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-220
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 1200V 4.7A TO220-3
- 包装:管件
- 产品状态:停产
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:1200 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):4.7A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:3.5 欧姆 @ 2.3A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:55 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±30V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:120 pF @ 25 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:160W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 供应商器件封装:TO-220
- 封装/外壳:TO-220-3
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