STL7N80K5

STL7N80K5是ST意法半导体推出的一款N沟道高压功率MOSFET，隶属于其高性能SuperMESH5系列。该器件采用先进的MOSFET技术，具备800V的漏源电压（Vdss）额定值和3.6A（Tc）的连续漏极电流能力，专为应对高压、高效率的功率转换需求而设计。

其关键电气参数表现出色，在10V驱动电压下，导通电阻（Rds(on)）典型值低至1.2欧姆（@3A），同时栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss）分别被优化至13.4nC和360pF，这共同确保了较低的传导损耗与快速的开关特性，有助于提升系统整体能效。器件采用散热性能优异的表面贴装PowerFlat（5x6）封装，最大功率耗散为42W（Tc），工作结温范围覆盖-55°C至150°C，提供了出色的热管理和环境适应性。

• 型号:STL7N80K5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:PowerFlat（5x6）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 800V 3.6A POWERFLAT
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:800 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):3.6A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.2 欧姆 @ 3A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:13.4 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:360 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:42W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerFlat（5x6）
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
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