STW24NM65N技术参数详情：
STW24NM65N是ST意法半导体MDmesh II系列中的一款N沟道功率MOSFET，采用TO-247-3通孔封装。该器件核心优势在于其650V的高漏源击穿电压（Vdss）与19A（Tc）的连续电流处理能力，结合仅190毫欧（@10V，9.5A）的低导通电阻，有效降低了功率传导损耗。
其开关特性经过优化，最大栅极电荷（Qg）为70nC，有助于实现快速开关并降低开关损耗，适用于高频工作环境。器件支持±25V的宽栅极驱动电压范围，并提供160W（Tc）的功率耗散能力，工作结温范围覆盖-55°C至150°C，确保了在严苛工业应用中的稳健性与可靠性。
- 型号:STW24NM65N
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-247-3
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 650V 19A TO247-3
- 包装:管件
- 产品状态:停产
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:650 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):19A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:190 毫欧 @ 9.5A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:70 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±25V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2500 pF @ 50 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:160W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 供应商器件封装:TO-247-3
- 封装/外壳:TO-247-3
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