STL80N75F6

STL80N75F6是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于采用DeepGATE技术的STripFET VI产品系列。该器件设计用于提供出色的开关性能与功率处理能力，其核心电气参数包括75V的漏源电压（Vdss）和高达80A（Tc）的连续漏极电流。

其关键优势在于极低的导通电阻，最大值仅为6.3毫欧（@10V Vgs），配合100nC（@10V）的典型栅极电荷，有效平衡了传导损耗与开关损耗，从而提升整体能效。器件采用节省空间的PowerFlat（5x6）表面贴装封装，工作结温范围宽达-55°C至175°C，适用于高密度、高可靠性的电源转换与电机驱动应用。

• 型号:STL80N75F6
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:PowerFlat（5x6）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 75V 80A POWERFLAT
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:75 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):80A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:6.3 毫欧 @ 9A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:100 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:7120 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:80W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerFlat（5x6）
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
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