STL85N6F3

STL85N6F3是ST意法半导体生产的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能STripFET产品系列。该器件采用PowerFlat（5x6）表面贴装封装，在紧凑的尺寸内集成了60V的漏源电压（Vdss）额定值和高达85A（Tc）的连续漏极电流处理能力。

其核心技术优势在于实现了优异的性能平衡：最大导通电阻（Rds(On)）低至5.7毫欧 @ 10V，有效降低了传导损耗；同时，最大栅极电荷（Qg）仅为60nC @ 10V，有利于实现高速开关并减少驱动损耗。这些特性使其成为提升开关电源和功率转换系统效率的关键元件。

• 型号:STL85N6F3
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:PowerFlat（5x6）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 60V 85A POWERFLAT
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):85A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:5.7 毫欧 @ 8.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:60 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:3400 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:80W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerFlat（5x6）
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
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