STL8N65M5

STL8N65M5是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能的MDmesh V产品系列。该器件采用先进的垂直扩散技术，核心优势在于其650V的高耐压与经优化的低导通电阻特性，能够在高压应用中有效降低传导损耗。

其电气参数设计均衡，在10V栅极驱动下具备较低的栅极电荷和输入电容，这有助于提升开关速度并降低开关损耗，适用于高频开关电源设计。器件采用热性能优异的PowerFLAT 5x5表面贴装封装，在提供高达7A（Tc）连续电流能力的同时，确保了出色的散热效能，满足紧凑型高功率密度应用的可靠性要求。

• 型号:STL8N65M5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:PowerFLAT（5x5）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 650V 7A POWERFLAT
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):1.4A（Ta），7A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:600 毫欧 @ 3.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:15 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:690 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2.5W（Ta），70W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerFLAT（5x5）
• 封装/外壳:14-PowerVQFN
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