STL220N3LLH7技术参数详情：
STL220N3LLH7是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其先进的DeepGATE和STripFET VII技术平台。该器件采用PowerFlat（5x6）表面贴装封装，核心优势在于其极低的导通电阻（1.1毫欧 @ 10V, 25A）与高达220A的连续漏极电流处理能力，旨在最大限度地降低传导损耗并提升功率密度。
其电气参数针对高效开关应用进行了优化，包括46nC的低栅极电荷（Qg @ 4.5V）和兼容标准逻辑电平的阈值电压，有助于实现快速开关并简化驱动设计。该器件额定漏源电压为30V，结温工作范围宽达-55°C至150°C，适用于要求严苛的功率转换与电机控制环境。
- 型号:STL220N3LLH7
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:PowerFlat（5x6）
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 30V 220A POWERFLAT
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:停产
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:30 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):220A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.1 毫欧 @ 25A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.2V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:46 nC @ 4.5 V
- Vgs（最大值）:±20V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:8650 pF @ 25 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:113W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 供应商器件封装:PowerFlat（5x6）
- 封装/外壳:8-PowerVDFN
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