STL8N6F7

STL8N6F7是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于高性能的STripFET F7产品系列。该器件采用先进的沟槽栅技术，在60V的漏源电压（V_DSS）额定值下，提供了高达36A（T_C）的连续电流处理能力，并实现了极低的导通电阻（25mΩ @ 10V, 4A），有效降低了导通状态下的功率损耗。

其关键优势在于优异的开关性能，最大栅极电荷（Q_G）仅为8nC，配合紧凑的PowerFlat（3.3x3.3）封装，使其非常适用于高频开关应用。这些特性共同确保了在高功率密度设计中实现高效率与出色的热管理，工作结温范围达-55°C至150°C，满足工业级应用的可靠性要求。

• 型号:STL8N6F7
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:PowerFlat（3.3x3.3）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 60V 36A POWERFLAT
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):36A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:25 毫欧 @ 4A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:8 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:450 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:3W（Ta），60W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerFlat（3.3x3.3）
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
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