STD90NS3LLH7

STD90NS3LLH7是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于高性能的STripFET H7产品系列。该器件采用DPAK封装，额定漏源电压为30V，在壳温25°C下可支持高达80A的连续漏极电流，具备强大的功率处理能力。

其核心电气参数表现优异，在10V栅极驱动下，导通电阻（Rds(on)）典型值低至3.4毫欧（@40A），能显著降低导通损耗。同时，其栅极电荷（Qg）最大值仅为13.7nC（@4.5V），有利于实现高效率的高频开关操作。这些特性使其成为同步整流、电机驱动和高效DC-DC转换等应用的理想选择。

• 型号:STD90NS3LLH7
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:DPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CHANNEL 30V 80A DPAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):80A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:3.4 毫欧 @ 40A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1.2V @ 1mA
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:13.7 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2110 pF @ 25 V
• FET 功能:肖特基二极管（体）
• 功率耗散（最大值）:57W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:DPAK
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
• 现在可以订购STD90NS3LLH7，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。