STL8N6LF3技术参数详情：
STL8N6LF3是ST意法半导体生产的一款N沟道功率MOSFET，采用STripFET F3技术，属于通过AEC-Q101认证的汽车级产品系列。该器件设计用于表面贴装，采用热性能优异的PowerFlat（5x6）封装。
其核心电气参数包括60V的漏源电压（Vdss）和20A的连续漏极电流（Id）能力，确保了在中等功率应用中的稳健性。关键优势在于其极低的导通电阻（最大值30mΩ @ 10V Vgs）和低栅极电荷（最大值13nC @ 10V），这共同实现了高效率与快速的开关性能。器件支持逻辑电平驱动（Vgs(th) ≤ 2.5V），便于与标准微控制器接口，并可在-55°C至175°C的宽结温范围内可靠工作。
- 型号:STL8N6LF3
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:PowerFlat（5x6）
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 60V 20A POWERFLAT
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:停产
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:60 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):20A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V，10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:30 毫欧 @ 4A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:13 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±20V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:668 pF @ 25 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:65W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
- 等级:汽车级
- 资质:AEC-Q101
- 安装类型:表面贴装型
- 供应商器件封装:PowerFlat（5x6）
- 封装/外壳:8-PowerVDFN
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