STL8N6LF6AG技术参数详情：
STL8N6LF6AG是ST意法半导体推出的一款符合AEC-Q101标准的汽车级N沟道功率MOSFET。该器件隶属于STripFET F6产品系列，采用PowerFlat（5x6）封装，专为要求高可靠性和紧凑设计的汽车应用而优化。
其核心电气参数包括60V的漏源电压（Vdss）和32A的连续漏极电流（Id），提供了稳健的功率处理能力。关键优势在于其极低的导通电阻与栅极电荷，这共同实现了出色的传导效率与快速的开关性能，有助于降低系统总损耗。宽泛的工作结温范围（-55°C至175°C）确保了其在严苛的汽车环境下的稳定运行。
- 型号:STL8N6LF6AG
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:PowerFlat（5x6）
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 60V 32A POWERFLAT
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:在售
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:60 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):32A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:27 毫欧 @ 9.6A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:27 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±20V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1340 pF @ 25 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:4.8W（Ta），55W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
- 等级:汽车级
- 资质:AEC-Q101
- 安装类型:表面贴装型
- 供应商器件封装:PowerFlat（5x6）
- 封装/外壳:8-PowerVDFN
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