PD55008STR-E技术参数详情：
PD55008STR-E是ST意法半导体生产的一款LDMOS射频功率场效应晶体管（FET），属于晶体管-FET，MOSFET-射频系列。该器件设计用于最高500MHz的工作频率，在12.5V测试电压下可提供高达8W的射频功率输出，并具备17dB的优异增益，能够显著提升发射链路的信号强度。
其采用PowerSO-10封装并配备裸露底部焊盘，优化了功率器件的散热管理。该晶体管额定电压为40V，额定电流为4A，展现了良好的功率处理能力与电气鲁棒性，适用于要求中等功率和高增益的射频放大应用。请注意，该产品目前已处于停产状态。
- 型号:PD55008STR-E
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:PowerSO-10RF（直引线）
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > RF FET，MOSFET
- 描述:RF MOSFET LDMOS 12.5V PWRSO-10RF
- 系列:-
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:停产
- 技术:LDMOS
- 配置:-
- 频率:500MHz
- 增益:17dB
- 电压 - 测试:12.5 V
- 额定电流（安培）:4A
- 噪声系数:-
- 电流 - 测试:150 mA
- 功率 - 输出:8W
- 电压 - 额定:40 V
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:-
- 封装/外壳:PowerSO-10 裸露底部焊盘
- 供应商器件封装:PowerSO-10RF（直引线）
- 现在可以订购PD55008STR-E，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。
