STLD200N4F6AG技术参数详情：
STLD200N4F6AG是ST意法半导体推出的一款符合AEC-Q101标准的车规级N沟道功率MOSFET。该器件采用先进的STripFET F6技术，在40V漏源电压（VDSS）下可提供高达120A的连续漏极电流，其导通电阻（RDS(on)）低至1.5毫欧（@10V，75A），能显著降低导通损耗。
它采用双面散热的PowerFlat（5x6）封装，在实现小尺寸的同时提供了优异的热管理能力，最大结温达175°C。其栅极电荷（QG）优化至172nC，有利于实现高效率的快速开关操作。这些特性使其成为汽车电机驱动、大电流DC-DC转换及高密度电源设计的核心功率开关解决方案。
- 型号:STLD200N4F6AG
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:PowerFlat（5x6）双面
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 40V 120A POWERFLAT
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:在售
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:40 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):120A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:6.5V，10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.5 毫欧 @ 75A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 1mA
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:172 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±20V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:10700 pF @ 10 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:158W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
- 等级:汽车级
- 资质:AEC-Q101
- 安装类型:表面贴装型
- 供应商器件封装:PowerFlat（5x6）双面
- 封装/外壳:8-PowerWDFN
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