STP33N60M6技术参数详情：
STP33N60M6是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能MDmesh M6产品系列。该器件采用TO-220封装，核心优势在于其600V的漏源电压（Vdss）与低至125毫欧（最大值）的导通电阻的出色组合，能够在高压环境下实现高效的功率传输，显著降低导通损耗。
其技术特性还包括25A（Tc）的连续漏极电流能力和优化的33.4nC栅极电荷（Qg），这共同保障了器件在高电流工作条件下兼具良好的开关性能与驱动效率。这些参数使其成为工业级开关电源、电机驱动和功率转换系统中追求高可靠性与高能效设计的理想选择。
- 型号:STP33N60M6
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-220
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 600V 25A TO220
- 包装:管件
- 产品状态:在售
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:600 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):25A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:125 毫欧 @ 12.5A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.75V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:33.4 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±25V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1515 pF @ 100 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:190W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 供应商器件封装:TO-220
- 封装/外壳:TO-220-3
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