STN1NF20

STN1NF20是ST意法半导体推出的一款采用STripFET II技术的N沟道功率MOSFET。该器件在SOT-223封装内集成了200V的漏源击穿电压和1A的连续漏极电流能力，其核心优势在于优异的开关性能与低损耗特性。

其导通电阻（Rds(on)）在10V Vgs下典型值较低，而最大栅极电荷（Qg）仅为5.7nC，结合较小的输入电容（Ciss），共同确保了快速、高效的开关操作，有助于降低系统整体功耗。宽泛的工作温度范围（-55°C至150°C）和2W的功率耗散能力，使其成为要求高可靠性和紧凑设计的开关电源、电机控制及功率管理应用的理想选择。

• 型号:STN1NF20
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:SOT-223
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 200V 1A SOT-223
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:200 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):1A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.5 欧姆 @ 500mA，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:5.7 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:90 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-223
• 封装/外壳:TO-261-4，TO-261AA
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