STN1NK60Z

STN1NK60Z是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于高性能的SuperMESH产品系列。该器件采用SOT-223表面贴装封装，核心优势在于其600V的高漏源电压（Vdss）和优化的动态特性，能够有效处理高压开关应用中的电气应力。

其技术参数显示，在10V驱动电压下，导通电阻（Rds(on)）典型值仅为15欧姆@400mA，同时栅极电荷（Qg）低至6.9nC，这共同确保了较低的导通损耗和出色的开关效率。该MOSFET工作结温范围宽达-55°C至150°C，功率耗散能力为3.3W，为设计高可靠性、高效率的电源转换和电机驱动方案提供了坚实的硬件基础。

• 型号:STN1NK60Z
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:SOT-223
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 300MA SOT223
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):300mA（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:15 欧姆 @ 400mA，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 50A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:6.9 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:94 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:3.3W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-223
• 封装/外壳:TO-261-4，TO-261AA
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