STN2NE10

STN2NE10是ST意法半导体推出的一款采用STripFET技术的N沟道MOSFET，采用SOT-223表面贴装封装。该器件核心规格为100V漏源电压与2A连续漏极电流，其关键优势在于实现了低导通电阻（典型值400mΩ @ 10V V_GS）与低栅极电荷（最大值19nC @ 10V V_GS）的良好结合。

这一特性组合使其在开关电源等应用中能有效降低导通损耗和开关损耗，提升系统效率。其设计兼容常见的逻辑电平驱动，最高结温达150°C，提供了可靠的性能边界，适用于中小功率的电源转换与电机控制场景。

• 型号:STN2NE10
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:SOT-223
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 100V 2A SOT-223
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):2A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:400 毫欧 @ 1A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:19 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:305 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2.5W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-223
• 封装/外壳:TO-261-4，TO-261AA
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