STN3NF06L

STN3NF06L是ST意法半导体推出的一款N沟道MOSFET，隶属于高性能的STripFET II产品系列。该器件采用SOT-223表面贴装封装，核心电气规格包括60V的漏源电压（V_DSS）和4A的连续漏极电流（I_D），为设计提供了坚实的电压与电流余量。

其技术亮点在于优异的开关性能与低损耗特性。在10V V_GS驱动下，导通电阻（R_DS(on)）最大值低至100毫欧（@1.5A），有效降低了导通状态下的功率损耗。同时，极低的栅极电荷（Q_G典型值9nC @5V）和适中的输入电容确保了快速的开关速度，简化了驱动电路设计并提升了系统效率。这些参数使其成为高效率功率开关应用的可靠选择。

• 型号:STN3NF06L
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:SOT-223
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 60V 4A SOT223
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):4A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:100 毫欧 @ 1.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.8V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:9 nC @ 5 V
• Vgs（最大值）:±16V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:340 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:3.3W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-223
• 封装/外壳:TO-261-4，TO-261AA
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