STN4NF20L

STN4NF20L是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，采用STripFET II技术和SOT-223表面贴装封装。其核心电气参数包括200V的漏源电压（Vdss）和1A的连续漏极电流（Tc）能力，为设计提供了坚实的电压与电流余量。

该器件的优势在于优异的动态特性，其最大栅极电荷（Qg）低至0.9nC（@10V），输入电容（Ciss）最大为150pF（@25V），这确保了极快的开关速度和低驱动损耗，非常适合高频开关应用。同时，在10V驱动下，其导通电阻（Rds(on)）最大为1.5欧姆（@500mA），实现了导通损耗与开关损耗的良好平衡。宽泛的工作结温范围（-55°C ~ 150°C）进一步提升了其在各种环境下的适用性与可靠性。

• 型号:STN4NF20L
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:SOT-223
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 200V 1A SOT-223
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:200 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):1A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.5 欧姆 @ 500mA，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:0.9 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:150 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:3.3W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-223
• 封装/外壳:TO-261-4，TO-261AA
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